摘 要：【目的】为降低暗电流，改善器件性能，对不同的倍增层Si掺杂浓度在电场分布、暗电流和响应度等性能方面的影响进行探讨，以获得掺杂浓度的最优值。【方法】利用半导体仿真软件Silvaco-TCAD深入探讨了倍增层Si掺（试读）...
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