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退火处理对CVD生长石墨烯薄膜功函数的影响-江苏大学学报(自然科学版)2024年03期

退火处理对CVD生长石墨烯薄膜功函数的影响

作者:姜燕 程振华 宋娟 字体:      

DOI: 10.3969/j.issn.1671-7775.2024.03.016

开放科学(资源服务)标识码(OSID):

摘要: 通过退火处理去除了石墨烯薄膜上的吸附气体和杂质,改变了石墨烯表面吸附情况.利用原子力显微镜和开尔文扫描探针显微镜,(试读)...

江苏大学学报(自然科学版)

2024年第03期